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NDD03N50Z-1G
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NDD03N50Z-1G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 274pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
NDD03N50Z-1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NDD03N50Z | ON | Circuits intégrés spécialisés | 32951 |
NDD03N50Z-1G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NDD03N50Z-1G MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5223 |
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NDD03N50ZT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
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