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NDH832P Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -8V
Supplier Device Package SuperSOT™-8
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
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