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NGTD23T120F2WP Spécifications techniques

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition -
Switching Energy -
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 4 Weeks
Input Type Standard
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package Die
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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NGTD23T120F2WP fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NGTD23T120F2WP prix de référence. NGTD23T120F2WP paramètres, NGTD23T120F2WP Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NGTD23T120F2WP Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NGTD23T120F2WP schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NGTD23T120F2WP tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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