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NIF9N05CLT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 1.69W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 35V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 59V
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