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NSS20101JT1G
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NSS20101JT1G Spécifications techniques
TRANS NPN 20V 1A SC-89
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 350MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
NSS20101ST1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2663 |
NSS20200DMTTBG | ON Semiconductor | Tableaux BJT Transistors | |
NSS20200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 393587 |
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
NSS20200LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 30306 |
NSS20200W6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2528 |
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