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NSVBAS21AHT1G Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Package / Case | SC-76, SOD-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 40nA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
NSVBAS116LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2713 |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Redresseur à Diode Monophasé | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2569 |
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