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NSVBSP19AT1G
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NSVBSP19AT1G Spécifications techniques
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 800mW |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 70MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVBSP19AT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
NSVBSS63LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2621 |
NSVBSS63LT1G | ON Semiconductor | Transistors BJT simples |
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