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NSVMMBT6520LT1G
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NSVMMBT6520LT1G Spécifications techniques
TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 225mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD353LT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - RF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodes RF | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBT2222AM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2683 |
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