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NSVMMUN2230LT1G
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NSVMMUN2230LT1G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
Power - Max | 246mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NSVMMBD352WT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2717 |
NSVMMBD352WT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD353LT1 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3287 |
NSVMMBD353LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2620 |
NSVMMBD353LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
NSVMMBD354LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - RF | 2588 |
NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Diodes RF | |
NSVMMBD717LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2773 |
NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Réseau de diodes redresseuses | |
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