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NTD12N10G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTD12N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 729 |
NTD12N10-001 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
NTD12N10-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1731 |
NTD12N10T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 20000 |
NTD12N10T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 14281 |
NTD12N10T4G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2825 |
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