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NTD3808NT4G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 76A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 16V
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