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NTD5862N-1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK-3
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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NTD5862N-1G fabricants de marques: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip action, NTD5862N-1G prix de référence. NTD5862N-1G paramètres, NTD5862N-1G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le NTD5862N-1G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver NTD5862N-1G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, NTD5862N-1G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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