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NTDV18N06LT4G
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NTDV18N06LT4G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 9A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
NTDV18N06LT4G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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