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NTMFS4C10NT1G
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NTMFS4C10NT1G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta), 23.6W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.95 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 987pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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