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NTMS10P02R2G
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NTMS10P02R2G Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 10A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3640pF @ 16V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTMS10P02 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2532 |
NTMS10P02R2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 20332 |
NTMS10P02R2 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTMS10P02R2 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5636 |
NTMS10P02R2G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTMS10P02R2G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 460 |
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