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NTMS4935NR2G
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NTMS4935NR2G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Power Dissipation (Max) | 810mW (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.1nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 7.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3639pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
NTMS4935NR2G Documents
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