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NTMSD3P102R2SG
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NTMSD3P102R2SG Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | FETKY™ |
Power Dissipation (Max) | 730mW (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Ta) |
NTMSD3P102R2SG Documents
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