NVTFS4C25NWFTAG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 14.3W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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