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NVTFS5116PLTWG
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NVTFS5116PLTWG Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1258pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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