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AS4C128M32MD2-18BIN Spécifications techniques

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Alliance Memory, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (128M x 32)
Memory Format DRAM
Clock Frequency 533MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.14 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 134-FBGA (10x11.5)
Package / Case 134-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc. Mémoire 2621
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. Mémoire 2741
AS4C128M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. Mémoire 2560
AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. Mémoire 2505
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. Mémoire 2780
AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. Mémoire 2698
AS4C128M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. Mémoire 2604
AS4C128M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. Mémoire 2519
AS4C128M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc. Mémoire 2556
AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. Mémoire 2656

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AS4C128M32MD2-18BIN fabricants de marques: Alliance Memory, Inc., Bonchip action, AS4C128M32MD2-18BIN prix de référence. AS4C128M32MD2-18BIN paramètres, AS4C128M32MD2-18BIN Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le AS4C128M32MD2-18BIN Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver AS4C128M32MD2-18BIN schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, AS4C128M32MD2-18BIN tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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