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NE3514S02-A Spécifications techniques
HJ-FET NCH 10DB S02
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Test | 2V |
Transistor Type | HFET |
Power - Output | - |
Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
Gain | 10dB |
Current Rating | 70mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Rated | 4V |
Supplier Device Package | S02 |
Packaging | Bulk |
Noise Figure | 0.75dB |
Frequency | 20GHz |
Current - Test | 10mA |
NE3514S02-A Documents
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-
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NE3510M04-07-T2 | Renesas Electronics America | Circuits intégrés spécialisés | 38080 |
NE3510M04-07-T2 IC | Renesas Electronics America | Circuits intégrés spécialisés | 38017 |
NE3510M04-07-T2-A IC | Renesas Electronics America | Circuits intégrés spécialisés | 60451 |
NE3510M04-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2714 |
NE3510M04-A | CEL | Transistors MOSFET RF | |
NE3510M04-T2-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 8095 |
NE3510M04-T2-A | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET RF | |
NE3510M04-T2-A | CEL | Transistors MOSFET RF | |
NE3511S02-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2583 |
NE3511S02-A | CEL | Transistors MOSFET RF |
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