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NE461M02-T1-QR-AZ
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NE461M02-T1-QR-AZ Spécifications techniques
SAME AS 2SC5337 NPN SILICON MEDI
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-243AA |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
Gain | 8.3dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 250mA |
NE461M02-T1-QR-AZ Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NE46134 | NEC | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
NE46134-AZ | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2523 |
NE46134-AZ | CEL | Transistors RF BJT | |
NE46134-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2793 |
NE46134-T1 | CEL | Transistors RF BJT | |
NE46134-T1-AZ | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 5365 |
NE46134-T1-AZ | CEL | Transistors RF BJT | |
NE46134-T1-QR-AZ | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2599 |
NE46134-T1-QR-AZ | CEL | Transistors RF BJT | |
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