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CDBGBSC201200-G Spécifications techniques
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | Comchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Supplier Device Package | TO-247 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Detailed Description | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 25.9A (DC) Through Hole TO-247-3 |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 25.9A (DC) |
CDBGBSC201200-G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2539 |
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2796 |
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