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CDBJSC8650-G Spécifications techniques

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Comchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
Supplier Device Package TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Case TO-220-2
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 560pF @ 0V, 1MHz
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