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C3M0280090D Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 11.5A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C3M™
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +18V, -8V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 7.5A, 15V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 600V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A (Tc)
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C3M0280090D fabricants de marques: Cree, Bonchip action, C3M0280090D prix de référence. C3M0280090D paramètres, C3M0280090D Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le C3M0280090D Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver C3M0280090D schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, C3M0280090D tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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