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CY14B104NA-BA45XET
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CY14B104NA-BA45XET Spécifications techniques
IC NVSRAM 4M PARALLEL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Mb (256K x 16) |
Memory Format | NVSRAM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 3 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 48-FBGA (6x10) |
Package / Case | 48-TFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Detailed Description | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10) |
CY14B104NA-BA45XET Documents
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