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IS29GL512S-11DHV01 Spécifications techniques

IC FLASH 512M PARALLEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 60ns
Technology FLASH - NOR
Series GL-S
Package / Case 64-LBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 110ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 64-Fortified BGA (9x9)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9)
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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IS29GL01GS-11DHB01-TR Cypress Semiconductor Mémoire 2748
IS29GL01GS-11DHB010 Cypress Semiconductor Mémoire 2698
IS29GL01GS-11DHB013 Cypress Semiconductor Mémoire 2585
IS29GL01GS-11DHB02 Cypress Semiconductor Mémoire 0
IS29GL01GS-11DHB02-TR Cypress Semiconductor Mémoire 2526
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IS29GL01GS-11DHV01 Cypress Semiconductor Mémoire 2524
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IS29GL512S-11DHV01 fabricants de marques: Cypress Semiconductor, Bonchip action, IS29GL512S-11DHV01 prix de référence. IS29GL512S-11DHV01 paramètres, IS29GL512S-11DHV01 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IS29GL512S-11DHV01 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IS29GL512S-11DHV01 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IS29GL512S-11DHV01 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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