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S29GL512S11FAIV10 Spécifications techniques

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 60ns
Technology FLASH - NOR
Series GL-S
Package / Case 64-LBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 110ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.65 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 64-Fortified BGA (13x11)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512Mb (32M x 16)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (13x11)
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S29GL512S11FAIV10 fabricants de marques: Cypress Semiconductor, Bonchip action, S29GL512S11FAIV10 prix de référence. S29GL512S11FAIV10 paramètres, S29GL512S11FAIV10 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le S29GL512S11FAIV10 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver S29GL512S11FAIV10 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, S29GL512S11FAIV10 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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