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S29GL512T13DHNV10
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S29GL512T13DHNV10 Spécifications techniques
IC FLASH 512M PARALLEL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 130ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.65 V ~ 3.6 V |
Series | GL-T |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mb (64M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 130ns |
S29GL512T13DHNV10 Documents
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