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S29GL512T13DHNV10 Spécifications techniques

IC FLASH 512M PARALLEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 60ns
Technology FLASH - NOR
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 130ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.65 V ~ 3.6 V
Series GL-T
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 130ns
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S29GL512T13DHNV10 fabricants de marques: Cypress Semiconductor, Bonchip action, S29GL512T13DHNV10 prix de référence. S29GL512T13DHNV10 paramètres, S29GL512T13DHNV10 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le S29GL512T13DHNV10 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver S29GL512T13DHNV10 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, S29GL512T13DHNV10 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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