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S34MS02G200BHV000
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S34MS02G200BHV000 Spécifications techniques
IC FLASH 2G PARALLEL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Technology | FLASH - NAND |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 45ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Series | MS-2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 2Gb (256M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 45ns |
S34MS02G200BHV000 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
S34MS01G100BHB000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2589 |
S34MS01G100BHB003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2739 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 5313 |
S34MS01G100BHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Mémoire | |
S34MS01G100BHI003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 5470 |
S34MS01G100BHI900 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2693 |
S34MS01G104BHB010 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2713 |
S34MS01G104BHB013 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2704 |
S34MS01G104BHB080 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2771 |
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