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S34MS04G200BHA003 Spécifications techniques

IC FLASH 4G PARALLEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 45ns
Technology FLASH - NAND
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 45ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Series Automotive, AEC-Q100, MS-2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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S34MS01G100BHB003 Cypress Semiconductor Mémoire 2739
S34MS01G100BHI000 Cypress Semiconductor Mémoire 5313
S34MS01G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp Mémoire
S34MS01G100BHI003 Cypress Semiconductor Mémoire 5470
S34MS01G100BHI900 Cypress Semiconductor Mémoire 2693
S34MS01G104BHB010 Cypress Semiconductor Mémoire 2713
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S34MS04G200BHA003 fabricants de marques: Cypress Semiconductor, Bonchip action, S34MS04G200BHA003 prix de référence. S34MS04G200BHA003 paramètres, S34MS04G200BHA003 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le S34MS04G200BHA003 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver S34MS04G200BHA003 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, S34MS04G200BHA003 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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