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S34SL04G200BHV000
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S34SL04G200BHV000 Spécifications techniques
IC FLASH 4G PARALLEL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 25ns |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Series | SL-2 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns |
S34SL04G200BHV000 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
S34SL01G200BHI000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 0 |
S34SL01G200BHI003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2796 |
S34SL01G200BHV000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2794 |
S34SL01G200BHV003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2627 |
S34SL02G200BHI00 | Spansion (Cypress Semiconductor) | Circuits intégrés spécialisés | 26183 |
S34SL02G200BHI000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 12488 |
S34SL02G200BHI003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 0 |
S34SL02G200BHV000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 0 |
S34SL02G200BHV003 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 2514 |
S34SL04G200BHI000 | Cypress Semiconductor | Mémoire | 0 |
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