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DMC3060LVT-7 Spécifications techniques

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 22 Weeks
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Power - Max 830mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250μA, 2.1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A Ta 2.8A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3.6A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Power Dissipation-Max (Abs) 1.16W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel Complementary
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 3.1A, 10V, 95m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 395pF 324pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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DMC3060LVT-7 fabricants de marques: Diodes Incorporated, Bonchip action, DMC3060LVT-7 prix de référence. DMC3060LVT-7 paramètres, DMC3060LVT-7 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le DMC3060LVT-7 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver DMC3060LVT-7 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, DMC3060LVT-7 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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