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DMJ70H600SH3 Spécifications techniques

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 113W (Tc)
Package / Case TO-251-3, IPak, Short Leads
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 643pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
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