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DMN10H170SVT-7
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DMN10H170SVT-7 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1167pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TSOT-26 |
Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
DMN100-7 | DIODES | Circuits intégrés spécialisés | 12814 |
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 16561 |
DMN100-7-F IC | DIDOES | Circuits intégrés spécialisés | 2148 |
DMN100-7-F MOS | Diodes Incorporated | Circuits intégrés spécialisés | 93294 |
DMN100-7-F-F | DIODES | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 13739 |
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2504 |
DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2680 |
DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
DMN1004UFV | Diodes Incorporated | Circuits intégrés spécialisés | 90000 |
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