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DMN2022UFDF-7 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 907pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-UDFN2020 (2x2)
Power Dissipation (Max) 660mW (Ta)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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