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DMS3012SFG-7 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4310pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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