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DMT10H017LPD-13 Spécifications techniques

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54.7A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
Power - Max 2.2W Ta 78W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4m Ω @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1986pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28.6nC @ 10V
FET Feature Standard
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DMT10H017LPD-13 fabricants de marques: Diodes Incorporated, Bonchip action, DMT10H017LPD-13 prix de référence. DMT10H017LPD-13 paramètres, DMT10H017LPD-13 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le DMT10H017LPD-13 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver DMT10H017LPD-13 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, DMT10H017LPD-13 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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