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DMT3009LDT-7
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DMT3009LDT-7 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | V-DFN3030-8 (Type K) |
Power - Max | 1.2W |
Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
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---|---|---|---|
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