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DMT8012LFG-13 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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