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EPC2012CENGR
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EPC2012CENGR Spécifications techniques
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | Die Outline (4-Solder Bar) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
EPC2012CENGR Documents
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