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EPC2014C Spécifications techniques

TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Series eGaN®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +6V, -4V
Supplier Device Package Die Outline (5-Solder Bar)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
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