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EPC2033ENGRT
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EPC2033ENGRT Spécifications techniques
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 9mA |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 75V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
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