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EPC2103ENG Spécifications techniques

TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 40V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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