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EPC2106ENGRT
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EPC2106ENGRT Spécifications techniques
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Series | eGaN® |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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