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EPC8009ENGR
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EPC8009ENGR Spécifications techniques
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 32.5V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 65V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.38nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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