FB180SA10 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 108A, 10V
Packaging Tube
Other Names *FB180SA10 VS-FB180SA10 VS-FB180SA10-ND VSFB180SA10 VSFB180SA10-ND
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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