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IRFBE20L Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBE20L
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 1.8A (Tc) Through Hole I2PAK
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IRFBE20L fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, IRFBE20L prix de référence. IRFBE20L paramètres, IRFBE20L Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFBE20L Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFBE20L schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFBE20L tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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