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IRLL014PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.6A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
Detailed Description N-Channel 60V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
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