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NSB8MTHE3/45 Spécifications techniques

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-263AB
Current - Average Rectified (Io) 8A
Base Part Number NSB8M
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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